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低导电损耗高稳定的100V沟槽型低正向压降肖特基整流器安森美万芳

发布时间:2020-02-14 11:42:23 阅读: 来源:pp再生料厂家

低导电损耗、高稳定的100V沟槽型低正向压降肖特基整流器(安森美)

此LVFR系列利用沟槽金属氧化物半导体(MOS)结构,在正向偏置条件下提供更大的导电区,因而显著降低正向压降。在反向偏置条件下,此结构产生“夹断”(pinch-off)效应,从而降低漏电流。跟平面型肖特基整流器不同,安森美半导体的沟槽型LVFR的开关性能在-40 °C至+150 °C的整个工作结点温度范围内都很优异。

为了证明LVFR的优势,安森美半导体将其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)与标准的30 A、100 V平面型肖特基整流器进行比较。基于65 W电源适配器测试的数据显示,使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此显著的能效提升使电源设计人员能够符合规范要求,同时不增加方案的复杂度及成本,例如无须同步整流。

安森美半导体功率分立分部高级总监兼总经理John Trice说:“我们的客户力求其产品设计更高能效,面市已久的平面型肖特基整流器根本无法高性价比地提供沟槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在扩展温度范围内提供优异正向压降及反向漏电流性能,超出我们客户提升电源能效的严格规格。”

安森美半导体新的LVFR器件及各自典型性能特性如下表所示:

安森美半导体

器件型号

简介

封装

VF (V) @IF =5

A及TJ=125°C

NTST30100SG

NTSB30100S-1G

30

A

(30

A X

1)TO-220 ABI2PAK0.39

NTST30U100CTG

NTSB30U100CT-1G

NTST30U100CTH

30

A共阴极(15

A X 2)(H- 无卤素)TO-220 ABI2PAKTO-220 AB

0.42

NTST30100CTG

NTSB30100CT-1G

NTST30100CTH

30

A共阴极(15

A X 2)(H- 无卤素)TO-220 ABI2PAKTO-220 AB

0.45

NTST20100CTG

NTSB20100CT-1G

20

A共阴极(10

A X 2)

TO-220 ABI2PAK0.5

NTST20U100CTG

NTSB20U100CT-1G

20

A共阴极(10

A X 2)

TO-220 ABI2PAK0.5

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