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ST全新超结MOSFET减少栅极电荷数量提高电子产品能效万芳

发布时间:2020-02-14 12:08:43 阅读: 来源:pp再生料厂家

ST全新超结MOSFET减少栅极电荷数量 提高电子产品能效

意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)宣布其先进的超结功率MOSFET晶体管系列新增快速开关产品,用于高能效消费电子产品、计算机和电信系统、照明控制器和太阳能设备。

新产品可提升设备电源能效,如200-500W中等尺寸电视。如每年制造的2亿台液晶电视 均采用新的 MDmesh II Plus Low Qg(低栅电荷)功率晶体管,每年温室气体将减排14多万吨,这个数字相当于约3万辆客车的尾气排放量 。

仅有少数芯片厂商掌握超结技术,采用此项技术的功率晶体管具有小尺寸、耐高压和导通能效优异等诸多优点。意法半导体在这个技术领域居全球领先水平,除MDmesh功率MOSFET外,现在又推出了性能更高的MDmesh II Plus Low Qg系列。这些先进特性可降低管内栅极电荷数量,提高开关以及导通时的能效,有助于液晶电视常用的谐振型电源节省电能。

在改进设计后,新产品降低了栅电荷(Qg)以及输入和输出电容,这些参数有助于进一步提高开关速度和能效,推进液晶电视开发人员选用超结晶体管设计谐振电源。直到现在,超结晶体管仍主要用于设计硬开关拓扑,在电流电压都很高的条件下执行开关操作。在谐振型电源内,两支电感和一支电容(LLC功率转换器)可确保晶体管的开关电压为零电压,以保证系统电流曲线平滑,从而提高能效。电压瞬变可烧毁晶体管,引起误开关,MDmesh II PlusTM Low Qg新系列拥有高抗瞬变能力,可承受输入电压突然剧变(dv/dt),让新产品能够在交流电力线上噪声和谐波等瞬变事件恶劣的环境中稳定工作。

首款投产的MDmesh II PlusTM Low Qg产品为采用TO-220封装的STP24N60M2。意法半导体将扩展此系列至50余款不同封装的产品,如TO-220FP, I2PAK,I2PAK FP,D2PAK,TO-247 和PowerFLAT 8x8。

STP24N60M2主要特性:

通态电阻(RDS(ON)):190m

击穿电压:600V

最大连续漏极电流(ID):18A

抗dv/dt能力:50V/ns

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